AOT1606L/AOB1606L
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
100
80
10V
5.5V
100
80
V DS =5V
60
40
5V
60
40
20
V GS =4.5V
20
125 ° C
25 ° C
0
0
0
1
2 3 4
5
0
1
2 3 4 5
6
8
V DS (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics (Note E)
2.2
2.0
V GS (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics (Note E)
6
1.8
V GS =10V
I D =20A
4
2
V GS =10V
1.6
1.4
1.2
17
5
2
10
1.0
0
0.8
18
0
5 10 15 20 25 30
I D (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage (Note E)
0
25 50 75 100 125 150 175 200
Temperature (°C) 0
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
(Note E)
15
12
I D =20A
1.0E+02
1.0E+01
40
1.0E+00
9
6
125 ° C
1.0E-01
1.0E-02
125 ° C
25 ° C
3
0
25 ° C
1.0E-03
1.0E-04
1.0E-05
2
4
6
8
10
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V GS (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
(Note E)
V SD (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics (Note E)
Rev0: May 2011
www.aosmd.com
Page 3 of 6
相关PDF资料
AOB411L MOSFET P-CH 60V 8A TO263
AOD458 MOSFET N CH 250V 14A TO252
AOK42S60L MOSFET N-CH 600V 39A TO247
AON2405 MOSFET P CH 20V 8A DFN 2x2B
AON6232 MOSFET N CH 40V 85A DFN5X6
AON6244 MOSFET N CH 60V 85A DFN5X6
AON6918 MOSF 2N CH 25V 60/85A DFN5X6A
AON7421 MOSF P CH 20V 50A DFN3.3X3.3EP
相关代理商/技术参数
AOB1608L 功能描述:MOSFET N CH 60V 140A TO263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
AOB20C60 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Plastic Encapsulated Device
AOB20C60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):20A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):250 毫欧 @ 10A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):74nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3440pF @ 100V 功率 - 最大值:463W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:TO-263(D2Pak) 标准包装:800
AOB20C60PL 功能描述:MOSFET NCH 600V 20A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):20A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):260 毫欧 @ 10A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):80nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3607pF @ 100V 功率 - 最大值:463W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:TO-263(D2Pak) 标准包装:1
AOB20S60 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:600V 20A a MOS Power Transistor
AOB20S60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:aMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
AOB210L 功能描述:MOSFET N CH 30V 105A RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
AOB240L 功能描述:MOSFET N CH 40V 105A TO263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件